東大、次世代パワーエレクトロニクス用材料「AlGaN」の安価/高品質な製造手法を開発

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 東京大学生産技術研究所の藤岡洋教授らは、次世代パワーエレクトロニクス用半導体材料として期待されている「AlGaN(窒化アルミニウムガリウム)」の高品質な半導体結晶を安価に合成する新手法を開発したと発表し、2022年7月5日に記者会見を行なった。
Source: PC Watch・テクノロジーの総合情報サイト

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