産総研ら、2nm以降のロジック半導体の高性能化を実現する技術

　国立研究開発法人 産業技術総合研究所(産総研)と東京都立大学による研究グループは、n型MoSトランジスタの性能向上につながる低コンタクト抵抗技術を開発した。次世代ロジック半導体の高性能化に貢献できるとしている。
Source: PC Watch・テクノロジーの総合情報サイト